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FDN338P中文资料

FDN338P图片

FDN338P外观图

  • 大小：1865.23KB
  • 厂家：金誉
  • 描述：20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：451pF @ 10V
  • 功率 - 最大：460mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-SSOT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDN338PTR

FDN338P供应商

更新时间:2023-01-01 22:19:16
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